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【发明授权】水蒸气处理装置及方法、基板处理系统以及干蚀刻方法_东京毅力科创株式会社_202011615450.3 

申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

申请日:2020-12-31

公开(公告)日:2024-03-26

公开(公告)号:CN113161256B

主分类号:H01L21/67

分类号:H01L21/67

优先权:["20200107 JP 2020-000893","20200722 JP 2020-125505"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.26#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要:本公开涉及一种水蒸气处理装置及方法、基板处理系统以及干蚀刻方法。一种水蒸气处理装置,具有:上腔室和下腔室,所述上腔室和下腔室上下层叠;以及隔离件,其介于所述上腔室及所述下腔室与第一闸门之间,与所述上腔室、所述下腔室以及所述第一闸门相连,其中,所述上腔室具备第一开口,所述下腔室具备第二开口,所述隔离件具备与所述第一开口及所述第二开口分别连通的第三开口及第四开口,所述第三开口及所述第四开口分别与所述第一闸门具备的第五开口及第六开口连通,所述上腔室及所述下腔室与共用的或单独的水蒸气的气化器连通,所述隔离件在所述第三开口的周围具备第一温度调节部,在所述第四开口的周围具备第二温度调节部。

主权项:1.一种水蒸气处理装置,利用水蒸气对被处理气体实施处理后的基板进行处理,并且经由搬送装置具有的第一闸门来与所述搬送装置之间进行所述基板的交接,所述水蒸气处理装置具备:上腔室和下腔室,所述上腔室和下腔室上下层叠;以及隔离件,其介于所述上腔室及所述下腔室与所述第一闸门之间,与所述上腔室、所述下腔室以及所述第一闸门相连,其中,所述上腔室具备第一开口,所述下腔室具备第二开口,所述隔离件具备与所述第一开口及所述第二开口分别连通的第三开口及第四开口,所述第三开口及所述第四开口分别与所述第一闸门具备的第五开口及第六开口连通,所述上腔室及所述下腔室与共用的或单独的水蒸气的气化器连通,所述隔离件在所述第三开口的周围具备第一温度调节部,在所述第四开口的周围具备第二温度调节部,所述第一温度调节部和所述第二温度调节部能够单独地进行温度调整。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 东京毅力科创株式会社 水蒸气处理装置及方法、基板处理系统以及干蚀刻方法

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