申请/专利权人:武汉理工大学
申请日:2021-08-18
公开(公告)日:2024-03-26
公开(公告)号:CN113782681B
主分类号:H10K71/12
分类号:H10K71/12;H10K71/15;H10K30/15
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.26#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2021.12.10#公开
摘要:一种混杂MXene纳米材料的ZnO量子点紫外光电探测器及其制备方法,涉及光电探测器领域。混杂MXene纳米材料的ZnO量子点紫外光电探测器的制备方法是:将Ti3C2TXMXene纳米材料和ZnO量子点溶液混合得到混杂Ti3C2TXMXene纳米材料的ZnO量子点溶液,随后将混杂Ti3C2TXMXene纳米材料的ZnO量子点溶液旋涂在玻璃基片表面,重复上述步骤多次,随后退火得到光敏层;对具有光敏层的玻璃基片镀金得到电极。混杂MXene纳米材料的ZnO量子点紫外光电探测器及其制备方法制备的紫外光电探测器具有光吸收性好,载流子传输速率高的优点。
主权项:1.一种混杂MXene纳米材料的ZnO量子点紫外光电探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将Ti3C2TXMXene纳米材料和ZnO量子点溶液混合得到混杂Ti3C2TXMXene纳米材料的ZnO量子点溶液;将混杂Ti3C2TXMXene纳米材料的ZnO量子点溶液旋涂在玻璃基片表面,重复上述步骤多次,随后退火得到光敏层;将混杂Ti3C2TXMXene纳米材料的ZnO量子点溶液旋涂在玻璃基片表面时,以2000-2500rmin以上的速度旋转所述玻璃基片,并将混合液以2-3μLS的速度滴到所述玻璃基片上;对具有光敏层的玻璃基片镀金得到电极。
全文数据:
权利要求:
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