申请/专利权人：西安迈驰半导体科技有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790555A

主分类号：H01L29/74

分类号：H01L29/74;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/417;H01L27/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及一种用于ESD保护的纵向SCR器件，包括设置在背面金属层上的N型硅衬底；所述N型硅衬底上形成有P型外延层，所述P型外延层上设置有N型埋层，所述N型埋层上形成有两端底面与P型外延层相接的N型外延层，所述N型外延层上间隔形成有两个P型重掺杂区；所述P型重掺杂区的顶部与N型外延层的顶部齐平，且两个P型重掺杂区顶部均与正面金属层的底面相接；所述正面金属层周围形成有介质层，所述介质层将外露的N型外延层和P型重掺杂区覆盖；所述N型外延层两端顶部分别竖直向下开设有深入N型硅衬底中的隔离深沟槽。本发明设计结构和工艺简单，ESD能力强，电容低，且具有器件参数调节灵活多变，应用范围广的优点。

主权项：1.一种用于ESD保护的纵向SCR器件，其特征在于：包括设置在背面金属层109上的N型硅衬底101；所述N型硅衬底101上形成有P型外延层102，所述P型外延层102上设置有N型埋层103，所述N型埋层103上形成有两端底面与P型外延层102相接的N型外延层104，所述N型外延层104上间隔形成有两个P型重掺杂区105；所述P型重掺杂区105的顶部与N型外延层104的顶部齐平，且两个P型重掺杂区105顶部均与正面金属层108的底面相接；所述正面金属层108周围形成有介质层107，所述介质层107将外露的N型外延层104和P型重掺杂区105覆盖；所述N型外延层104两端顶部分别竖直向下开设有深入N型硅衬底101中的隔离深沟槽106。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安迈驰半导体科技有限公司 一种用于ESD保护的纵向SCR器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD