申请/专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117794042A

主分类号：H05H7/00

分类号：H05H7/00;G06F30/20;G06F119/06;G06F119/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种双模式高频腔的双频率独立调谐方法，包括一下步骤，通过电磁场仿真计算和测试软件，对双模式高频腔体内部的电磁场分布进行模拟，根据模拟的电磁场分布，寻找用于安装两个活塞型调谐器的位置，通过分别对两个活塞型调谐器深入腔中的深度进行调节。本发明根据电磁场仿真计算和测试软件对双模式高频腔体内部的电磁场分布进行模拟，在基波的强磁场、弱电场而三次谐波电磁场分布均匀区域固定安装其中一个活塞型调谐器，在三次谐波的强磁场、弱电场而基波波电磁场分布均匀的区域固定安装另一个活塞型调谐器，利用活塞型调谐器底端在竖直方向深入的位置进行调节，进而对双模式高频腔体的双频率进行独立调谐。

主权项：1.一种双模式高频腔的双频率独立调谐方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：通过电磁场仿真计算和测试软件，对双模式高频腔体内部的电磁场分布进行模拟；步骤二：根据步骤一中模拟的电磁场分布，寻找基波的强磁场、弱电场而三次谐波电磁场分布均匀的区域，用于安装调节基波活塞型调谐器；步骤三：根据步骤一中模拟的电磁场分布，寻找三次谐波的强磁场、弱电场而基波波电磁场分布均匀的区域，用于安装调节三次谐波活塞型调谐器；步骤四：通过分别对基波活塞型调谐器和三次谐波活塞型调谐器深入腔中的深度进行调节，从而实现对双模式高频腔的两个工作频率进行独立调谐。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所 一种双模式高频腔的双频率独立调谐方法

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