申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2022-07-20

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795671A

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L21/768

优先权：["20210824 US 17/410,690"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：公开了在过孔层中采用过孔层导电结构的三维3D互连结构。互连结构中的信号路径中的该过孔层导电结构设置在与金属层中的金属线相邻的相应过孔层中。该过孔层导电结构增大了集成电路IC中的设备之间或与去向来自外部接触件的信号路径的导电横截面。该过孔层导电结构提供以下操作中的一个或两个操作来增大信号路径的导电横截面：增加金属线的高度尺寸，以及电耦接相同或不同金属层中的金属线。该增大的导电横截面减小了信号的电流电阻IR压降并且增大了信号速度。随着金属轨道间距的大小减小，信号路径电阻增大。这些过孔层导电结构被提供来减少或避免信号路径中的电阻甚至更大地增大。

主权项：1.一种互连结构，包括：第一金属层，所述第一金属层包括在第一方向上延伸的多个第一轨道当中的第一轨道中的第一金属线，所述多个第一轨道具有第一轨道间距；第二金属层，所述第二金属层与所述第一金属层相邻，所述第二金属层包括在与所述第一方向正交的第二方向上延伸的多个第二轨道，所述多个第二轨道具有第二轨道间距；和过孔层导电结构，所述过孔层导电结构在与所述第一金属层相邻的过孔层中，所述过孔层导电结构耦接到所述第一金属层中的所述第一金属线并且在所述第一方向上具有大于所述第二轨道间距的第一长度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 在过孔层中采用过孔层导电结构的三维（3D）互连结构以及相关制造方法

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