申请/专利权人:韩国科学技术研究院
申请日:2023-09-28
公开(公告)日:2024-03-29
公开(公告)号:CN117790613A
主分类号:H01L31/107
分类号:H01L31/107;H01L31/0352;G01S7/285;G01S7/35
优先权:["20220928 KR 10-2022-0122968","20230911 KR 10-2023-0120623"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开
摘要:单光子雪崩二极管包括:高浓度掺杂区;第一低浓度掺杂区,其覆盖高浓度掺杂区;保护环,其设置于第一低浓度掺杂区的侧面上;第一阱,其覆盖第一低浓度掺杂区及保护环;以及接触部,其与第一阱电性连接,高浓度掺杂区、第一低浓度掺杂区及保护环具有第一导电型,第一阱及接触部具有第二导电型。
主权项:1.一种单光子雪崩二极管,其包括:高浓度掺杂区;第一低浓度掺杂区,其覆盖所述高浓度掺杂区;保护环,其设置于所述第一低浓度掺杂区的侧面上;第一阱,其覆盖所述第一低浓度掺杂区及所述保护环;以及接触部,其与所述第一阱电性连接,所述高浓度掺杂区、所述第一低浓度掺杂区及所述保护环具有第一导电型,所述第一阱及所述接触部具有第二导电型。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 韩国科学技术研究院 单光子雪崩二极管、电子设备及激光雷达设备
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