申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司

申请日：2019-02-14

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN111433912B

主分类号：H10B41/20

分类号：H10B41/20;H10B43/20;H10B41/35;H10B43/35

优先权：["20180604 US 15/997,194"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：一种三维存储器装置包含：位于衬底上方的源极层级材料层，所述源极层级材料层含有源极触点层；位于衬底层级材料层上方的绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器堆叠结构，其延伸穿过所述交替堆叠，使得所述存储器堆叠结构中的每一个包含存储器膜和具有接触所述源极触点层的相应水平表面的底部表面的竖直半导体通道；以及电介质柱结构，其嵌入于所述衬底层级材料层内且位于所述存储器堆叠结构之间。

主权项：1.一种三维存储器装置，其包括：源极层级材料层，其位于衬底上方，所述源极层级材料层包括源极触点层；绝缘层和导电层的交替堆叠，其位于所述源极层级材料层上方；存储器堆叠结构，其延伸穿过所述交替堆叠，其中所述存储器堆叠结构中的每一个包括存储器膜和具有接触所述源极触点层的相应水平表面的底部表面的竖直半导体通道；以及电介质柱结构，其嵌入于所述源极层级材料层内且位于所述存储器堆叠结构之间，其中，所述源极层级材料层包括下伏于所述源极触点层的下部源极层；所述电介质柱结构中的每一个包括接触所述下部源极层的相应侧壁的第一部分和接触所述源极触点层的相应侧壁的第二部分；且所述第二部分具有比所述第一部分小的最大横向范围。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 含有到竖直通道底部的源极触点的三维存储器装置及其制作方法

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