申请/专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

申请日：2021-11-30

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN114040599B

主分类号：H05K3/46

分类号：H05K3/46;H05K3/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2022.03.01#实质审查的生效;2022.02.11#公开

摘要：本发明公开了LTCC基板制作技术领域的一种环形LTCC基板制作方法，包括：获取LTCC生瓷片、聚酯膜和叠片盖；对LTCC生瓷片进行一次层压前处理，得到包含内环空腔的待层压的LTCC生瓷片；将聚酯膜、待层压的LTCC生瓷片和叠片盖依次套入叠片台，进行一次层压，得到待层压的LTCC生瓷片组件；向待层压的LTCC生瓷片组件中的内环空腔内塞入空腔塞子后，进行二次层压，得到已层压LTCC生瓷片组件；对已层压LTCC生瓷片组件按照后续工序处理，得到LTCC环形基板。本发明通过在内环空腔填充空腔塞子进行二次层压，保证生瓷坯致密及环形基板各区域尺寸收缩一致性。

主权项：1.一种环形LTCC基板制作方法，其特征是，包括：获取LTCC生瓷片、聚酯膜和叠片盖；对LTCC生瓷片进行一次层压前处理，得到包含内环空腔的待层压的LTCC生瓷片；将聚酯膜、待层压的LTCC生瓷片和叠片盖依次套入叠片台，进行一次层压，得到待层压的LTCC生瓷片组件；向待层压的LTCC生瓷片组件中的内环空腔内塞入空腔塞子后，进行二次层压，得到已层压LTCC生瓷片组件；对已层压LTCC生瓷片组件按照后续工序处理，得到LTCC环形基板；其中，所述对LTCC生瓷片进行一次层压前处理，包括对LTCC生瓷片进行预处理，所述预处理包括将LTCC生瓷片进行烘烤，且烘烤温度为40℃，烘烤时间为60min；所述空腔塞子为道康宁硅胶制作的硅胶塞子；对LTCC生瓷片进行一次层压前处理，得到包含内环空腔的待层压的LTCC生瓷片，包括：在预处理后的LTCC生瓷片上打出通孔；对LTCC生瓷片进行通孔位置与通孔质量检测；对检测后的LTCC生瓷片依次进行金属填充、通孔整平和通孔填充检查；对填充检查后的LTCC生瓷片依次进行每层金属图形的印刷，印刷质量检查和工艺评价；对完成工艺评价的LTCC生瓷片通过双面激光切割工艺划切出所述内环空腔；所述硅胶塞子尺寸小于内环空腔直径0.1mm；所述一次层压的层压压力小于二次层压的层压压力；所述一次层压的预热时间为15min，预热温度为70℃，层压压力为1000psi，层压时间为20min；所述二次层压的预热时间为10min，预热温度为70℃，层压压力为3000psi，层压时间为10min；所述后续工序包括热切、共烧工序和后烧、激光划切、电性能测试及外观评价。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 一种环形LTCC基板制作方法

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