申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
申请日:2022-09-23
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117810936A
主分类号:H02H9/00
分类号:H02H9/00;H02H9/02;H02H9/04;H01L27/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:本公开提供一种芯片的静电保护电路,静电保护电路包括第一端和第二端,静电保护电路包括:触发电路,与静电保护电路的第一端和静电保护电路的第二端连接,用于在静电保护电路的第一端或静电保护电路的第二端有静电电荷时输出触发信号;泄放晶体管,与触发电路连接,还与静电保护电路的第一端和静电保护电路的第二端连接,用于在触发信号的控制下导通,泄放静电电荷;寄生三极管,与静电保护电路的第一端和静电保护电路的第二端连接,在泄放晶体管导通时产生衬底漏电导通寄生三极管,泄放静电电荷。通过如此设置,增加静电保护电路的泄放能力,但不增加静电保护电路所占用面积。
主权项:1.一种芯片的静电保护电路,其特征在于,所述静电保护电路包括第一端和第二端,所述静电保护电路包括:触发电路,与所述静电保护电路的第一端和所述静电保护电路的第二端连接,用于在所述静电保护电路的第一端或所述静电保护电路的第二端有静电电荷时输出触发信号;泄放晶体管,与所述触发电路连接,还与所述静电保护电路的第一端和所述静电保护电路的第二端连接,用于在所述触发信号的控制下导通,泄放所述静电电荷;寄生三极管,与所述静电保护电路的第一端和静电保护电路的第二端连接,在所述泄放晶体管导通时产生衬底漏电导通所述寄生三极管,泄放所述静电电荷。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长鑫存储技术有限公司 芯片的静电保护电路
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