申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-08-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810188A

主分类号：H01L23/488

分类号：H01L23/488;H01L23/482

优先权：["20220930 KR 10-2022-0124848"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片上。所述第一半导体芯片包括：第一基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一基板的下表面上；以及第一焊盘，所述第一焊盘通过所述第一绝缘层被暴露。所述第二半导体芯片包括：第二基板；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第二基板的上表面上并且接触所述第一绝缘层；以及第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第二绝缘层被暴露并且接触所述第一焊盘。所述第一焊盘具有倾斜侧表面和朝向所述第一基板增加的第一宽度，并且所述第二焊盘具有倾斜侧表面和朝向所述第二基板增加的第二宽度。

主权项：1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，所述第一半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片上；所述第一半导体芯片包括：第一基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一基板的下表面上；以及第一焊盘，所述第一焊盘通过所述第一绝缘层被暴露，并且所述第二半导体芯片包括：第二基板；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第二基板的上表面上并且接触所述第一绝缘层；以及第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第二绝缘层被暴露并且接触所述第一焊盘，其中，所述第一焊盘具有倾斜侧表面和朝向所述第一基板增加的第一宽度，并且所述第二焊盘具有倾斜侧表面和朝向所述第二基板增加的第二宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体封装件

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