申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810264A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供一种隧穿器件及制备方法，应用于半导体器件技术领域。该隧穿器件包括：衬底，衬底表面被划分为第一区域和第二区域；掺杂层，包括P型掺杂层和N型掺杂层，P型掺杂层设置于第一区域，N型掺杂层设置于第二区域；其中，P型掺杂层与N型掺杂层相连接；第一介电层，设置于P型掺杂层的表面，与P型掺杂层表面的部分区域相接触；第二介电层，设置于N型掺杂层的表面，与N型掺杂层表面的部分区域相接触；其中，第一介电层和第二介电层之间存在间隙；栅极层，分别设置于第一介电层表面以及第二介电层表面。该隧穿器件通过栅极层对PN进行调控，在反向偏压下实现负微分电阻效应的同时，有效降低器件的泄漏电流，提高隧穿器件的性能。

主权项：1.一种隧穿器件，其特征在于，包括：衬底（1），所述衬底表面被划分为第一区域和第二区域；掺杂层，包括P型掺杂层（2）和N型掺杂层（3），所述P型掺杂层（2）设置于所述第一区域，所述N型掺杂层（3）设置于所述第二区域；其中，所述P型掺杂层（2）与所述N型掺杂层（3）相连接；第一介电层（4），设置于所述P型掺杂层（2）的表面，与所述P型掺杂层（2）表面的部分区域相接触；第二介电层（5），设置于所述N型掺杂层（3）的表面，与所述N型掺杂层（3）表面的部分区域相接触；其中，所述第一介电层（4）和所述第二介电层（5）之间存在间隙；栅极层，分别设置于所述第一介电层（4）表面以及所述第二介电层（5）表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 隧穿器件及制备方法

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