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【发明公布】一种电磁继电器中纳米晶带材块体铁心的铆装方法_哈尔滨工业大学_202410234901.0 

申请/专利权人:哈尔滨工业大学

申请日:2024-03-01

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117798663A

主分类号:B23P21/00

分类号:B23P21/00;B30B15/06;B23P19/02;H01H49/00;H01F41/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:本发明公开了一种电磁继电器中纳米晶带材块体铁心的铆装方法,所述铆装方法如下:步骤1:将纳米晶带材块体铁心两端的方型凸台与内轭铁、长轭铁的方孔凹槽做成间隙配合;步骤2:将纳米晶带材块体铁心置于铆装夹具中,通过锥型铆头均匀压铆长轭铁方孔凹槽的边缘处,完成导磁体的铆接;步骤3:在确保导磁体结构牢固且纳米晶带材块体铁心与长轭铁紧密接触且二者间无明显气隙后,将已绕制完成的线圈套入铁心;步骤4:采用与步骤2相同的铆装方法完成纳米晶带材块体铁心的另一端方型凸台与内轭铁的铆接,测量铆接后的电磁组件的总高以保证其在既定公差范围内。本发明克服了纳米晶带材块体铁心因延展性不足而导致其与轭铁无法完成铆接的困难。

主权项:1.一种电磁继电器中纳米晶带材块体铁心的铆装方法,其特征在于所述铆装方法包括如下步骤:步骤1:将纳米晶带材块体铁心两端的方型凸台与内轭铁、长轭铁的方孔凹槽做成间隙配合;步骤2:将纳米晶带材块体铁心置于铆装夹具中,通过锥型铆头均匀压铆长轭铁方孔凹槽的边缘处,完成导磁体的铆接;步骤3:在确保导磁体结构牢固且纳米晶带材块体铁心与长轭铁紧密接触且二者间无明显气隙后,将已绕制完成的线圈套入铁心;步骤4:采用与步骤2相同的铆装方法完成纳米晶带材块体铁心的另一端方型凸台与内轭铁的铆接,测量铆接后的电磁组件的总高以保证其在既定公差范围内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 哈尔滨工业大学 一种电磁继电器中纳米晶带材块体铁心的铆装方法

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