申请/专利权人：IQE公开有限公司

申请日：2022-09-22

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117813675A

主分类号：H01L21/20

分类号：H01L21/20

优先权：["20210722 GB 2110537.4"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：一种高电子迁移率晶体管22包括具有第一晶格常数的成核层14、具有第二晶格常数的后阻挡层24以及具有第三晶格常数的应力管理层26，第三晶格常数大于第一晶格常数和第二晶格常数两者。应力管理层26补偿由于成核层14和后阻挡层24之间的晶格失配而产生的一些或全部应力，使得所得到的结构经历较少的弯曲和翘曲。

主权项：1.一种高电子迁移率晶体管22，包括：·碳化硅基板12；·具有第一晶格常数的成核层14；·具有第二晶格常数的后阻挡层24，其中，所述第二晶格常数是后阻挡层24中的最大晶格常数；·沟道层18；·前阻挡层20，所述前阻挡层在沟道层18中形成二维电子气；以及·具有第三晶格常数的应力管理层26，所述第三晶格常数大于第一晶格常数和第二晶格常数，其中，应力管理层26位于成核层14和后阻挡层24之间，并且其中，第三晶格常数是应力管理层26中的最小晶格常数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： IQE公开有限公司 用于GaN高电子迁移率晶体管的应力管理层

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