申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810071A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种具有沟槽栅结构的晶圆结构及降低其晶圆翘曲度的方法。所述方法包括：在晶圆衬底的表面的芯片功能区形成沟槽结构；将晶圆衬底靠近沟槽结构的内壁表面的部分氧化形成第一氧化物层，第一氧化物层与晶圆衬底之间具有压应力；在沟槽结构的内壁表面形成氮化物层，氮化物层覆设在第一氧化物层上，氮化物层与晶圆衬底之间具有拉应力，拉应力的矢量方向与压应力的矢量方向相反；在氮化物层上形成第二氮化物层；在沟槽结构内形成栅极，栅极与氮化物层经第二氧化物层隔离。本发明中的第一氧化物层、氮化物层对晶圆衬底产生的应力的矢量方向相反，氮化物层可以有效平衡热氧形成的第一氧化物层与晶圆衬底之间的压应力，降低晶圆的翘曲度。

主权项：1.一种降低具有沟槽栅结构的晶圆翘曲度的方法，其特征在于，包括：在晶圆衬底的表面的芯片功能区形成沟槽结构；将所述晶圆衬底靠近所述沟槽结构的内壁表面的部分氧化形成第一氧化物层，所述第一氧化物层与所述晶圆衬底之间具有压应力；在所述沟槽结构的内壁表面形成氮化物层，所述氮化物层覆设在所述第一氧化物层上，并且，所述氮化物层与所述晶圆衬底之间具有拉应力，所述拉应力的矢量方向与所述压应力的矢量方向相反；在所述氮化物层上形成第二氮化物层；在所述沟槽结构内形成栅极，所述栅极与所述氮化物层经所述第二氧化物层隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 具有沟槽栅结构的晶圆结构及降低其晶圆翘曲度的方法

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