申请/专利权人：苏州龙驰半导体科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810263A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请实施例提供一种场效应半导体器件及其制造方法，其中，场效应半导体器件包括：基底；位于基底之上的外延层；至少两个栅区，沿第一方向间隔设置于外延层内；位于外延层上部的深阱区，深阱区位于栅区的两侧；栅下阱区，形成于外延层内与栅区一一对应且设置于栅区下方；栅下阱区向下延伸至低于深阱区；栅氧化区，围设于栅区的侧面及底部；位于外延层上部的阱区，阱区位于栅区的两侧且位于深阱区的上方；位于阱区上部的源区。本申请实施例提供的场效应半导体器件及其制造方法中，各栅下阱区之间形成JFET效应，能够钳位电势，从而降低栅氧化区的电场。并且该方案中的深阱区不需要注入高能量离子，简化了工艺难度及设计难度。

主权项：1.一种场效应半导体器件，其特征在于，包括：基底；位于基底之上的外延层；至少两个栅区，沿第一方向间隔设置于外延层内；位于外延层上部的深阱区，深阱区位于栅区的两侧；栅下阱区，形成于外延层内与栅区一一对应且设置于栅区下方；栅下阱区向下延伸至低于深阱区；栅氧化区，围设于栅区的侧面及底部；位于外延层上部的阱区，阱区位于栅区的两侧且位于深阱区的上方；位于阱区上部的源区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州龙驰半导体科技有限公司 场效应半导体器件及其制造方法

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