申请/专利权人：北京怀柔实验室

申请日：2024-03-01

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810251A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/74;H01L21/332

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：一种功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率器件，属于半导体器件技术领域。所述终端结构位于芯片边缘部分，与芯片有源区相接；所述终端结构至少具有第一基区和第二基区，所述第一基区和第二基区具有相反导电类型；所述终端结构中，至少在所述第二基区的远离第一基区的表面与芯片有源区所在的第一主面形成负角，使得终端结构部分芯片厚度至少在所述第一主面上随与芯片有源区距离的增加而减小；其中，所述第二基区至少具有一均匀掺杂的区域。本发明的终端结构可平衡负斜角终端近有源区一侧的电场强度，提高终端的有效利用率和阻断电压，降低电场强度峰值，提升器件长期可靠性；可用于不同类型的功率半导体器件。

主权项：1.一种功率半导体器件的终端结构，其特征在于，所述终端结构位于功率半导体器件芯片的边缘部分，与芯片有源区相接；所述终端结构至少具有第一导电类型的第一基区，和位于第一基区一侧的第二基区，所述第二基区具有第二导电类型，所述第二导电类型与第一导电类型相反；所述终端结构中，至少在所述第二基区的远离第一基区的表面与芯片有源区所在的第一主面形成负角，使得所述终端结构部分的芯片厚度至少在所述第一主面上随着到芯片有源区的距离增加而减小；其中，所述第二基区至少具有一均匀掺杂的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京怀柔实验室 功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率器件

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