申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810074A

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/762;C09K13/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法，包括：提供衬底，衬底上具有依次形成的硬掩膜层和图案化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺步，利用第一刻蚀气体刻蚀硬掩膜层和衬底，以在衬底内形成多个相互隔离的刻蚀沟槽，当刻蚀沟槽的深宽比达到第一设定值时，停止第一刻蚀工艺步；第一刻蚀气体包括主刻蚀气体和侧壁保护气体；执行第二刻蚀工艺步，利用第二刻蚀气体继续刻蚀硬掩膜层和衬底，以使刻蚀沟槽达到设定深度；第二刻蚀气体包括主刻蚀气体和阻挡层刻蚀气体。本发明可以在保证浅沟槽隔离结构刻蚀深度的前提下，得到角度连续的“U”形侧壁。

主权项：1.一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有依次形成的硬掩膜层和图案化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺步，利用第一刻蚀气体刻蚀所述硬掩膜层和所述衬底，以在所述衬底内形成多个相互隔离的刻蚀沟槽，当所述刻蚀沟槽的深宽比达到第一设定值时，停止所述第一刻蚀工艺步；所述第一刻蚀气体包括主刻蚀气体和侧壁保护气体，所述侧壁保护气体用于在所述刻蚀沟槽的侧壁上形成阻挡层；执行第二刻蚀工艺步，利用第二刻蚀气体继续刻蚀所述硬掩膜层和所述衬底，以使所述刻蚀沟槽达到设定深度；所述第二刻蚀气体包括所述主刻蚀气体和阻挡层刻蚀气体，所述阻挡层刻蚀气体用于刻蚀所述阻挡层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 浅沟槽隔离结构的刻蚀方法

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