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【发明公布】利用晶粒取向提升铜材蚀刻精度的方法_中铝科学技术研究院有限公司;中国铜业有限公司_202410229251.0 

申请/专利权人:中铝科学技术研究院有限公司;中国铜业有限公司

申请日:2024-02-29

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117802428A

主分类号:C22F1/08

分类号:C22F1/08

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:本发明公开了一种利用晶粒取向提升铜材蚀刻精度的方法。该方法通过控制铜块材再结晶晶粒取向处于随机的织构状态,或者铜带材形变时效态Brass取向织构、S取向织构、R取向织构和Copper取向织构并存的状态,提升铜带材的蚀刻精度。

主权项:1.一种利用晶粒取向提升铜材蚀刻精度的方法,其特征在于,对于成品厚度≥1.5mm的铜块材,所述方法为将所述铜块材经冷轧变形C1后进行短时高温固溶S1,使所述铜块材的晶粒平均尺寸减小至10μm以下,再进行时效处理A1,实现所述铜块材中晶粒的Cube取向织构、S取向织构、R取向织构和Copper取向织构的占比之和<30%,形成以随机取向织构为主的铜块材,其蚀刻后表面粗糙度<0.5μm;对于厚度<1.5mm的铜带材,所述方法为将所述铜带材经冷轧变形C1后进行短时高温固溶S2,所述铜带材的平均晶粒尺寸减小至5μm以下,再进行冷轧变形C2,时效处理A2,最后进行终轧C3和去应力处理A3,使所述铜带材中Brass取向织构、S取向织构、R取向织构和Copper取向织构占比之和>50%,且Brass取向织构占比>10%,使得所述铜带材蚀刻后表面粗糙度<0.4μm。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中铝科学技术研究院有限公司;中国铜业有限公司 利用晶粒取向提升铜材蚀刻精度的方法

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