申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2024-01-02

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117804622A

主分类号：G01K7/00

分类号：G01K7/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种基于MOS管栅极泄漏电流的温度传感器。本发明利用MOS管的栅极泄露电流，使该电流流经工作在亚阈区的MOS管，从而产生CTAT电压。由于栅极泄露电流极小，因此保证了感温前端极低的功耗。由于将输出信号建立了与阈值电压之间的线性关系，而阈值电压在较宽的温度范围内，与温度有着强线性关系，因此在电路结构简单的同时，也保证了较宽的感温范围和较高的温度线性度。同时，本发明可扩展性较高，可根据性能需求，在不同的应用场景下采用不同的量化模块以满足相应的需求，有利于集成在芯片内部实现高精度感温。

主权项：1.一种基于MOS管栅极泄漏电流的温度传感器，其特征在于：包括NMOS管M1、M3和PMOS管M2、M4；所述NMOS管M1和PMOS管M2构成感温电路，产生负温度系数的电压，即CTAT输出电压；M1接成MOS电容的形式，产生栅极泄露电流；M2为PMOS管，工作在亚阈区；整条感温电路上的电流由接成MOS电容形式的M1决定，M1与M2一同产生CTAT电压，即VCTAT；所述NMOS管M3和PMOS管M4构成补偿电路，M3为NMOS管接成MOS电容的形式，M4为PMOS管工作在亚阈区，M3和M4作为复制的电压基准，将M1的衬底电流引到复制的电压基准上，避免M1的衬底电流对VCTAT的温度线性度造成影响。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种基于MOS管栅极泄漏电流的温度传感器

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