申请/专利权人：南京邮电大学

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117801821A

主分类号：C09K11/87

分类号：C09K11/87;G01J1/42;C09K11/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提出了一种GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点核壳结构，该结构通过利用浸渍还原和光沉积两步法修饰贵金属Pt。Ga2O3作为表层包覆在Pt上，可以有效的抑制副反应所带来的负面影响，而Pt金属颗粒下的表面形成的异质结构中的Ga2O3层，可以作为空穴阻挡层，有效提升光生载流子的分离效率。另外通过等离子体辅助分子束外延MBE技术，可以实现在Si衬底上生长GaN纳米线阵列。

主权项：1.一种具有核壳结构的GaN纳米线Ga2O3@Pt量子点，其特征在于：所述核壳结构以Pt为核，外层包覆有Ga2O3；其中，所述Ga2O3的上表层作为分子筛，下表层作为空穴阻挡层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京邮电大学 一种具有核壳结构的GaN纳米线Ga₂O₃@Pt量子点及其制备方法和应用

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