申请/专利权人：乐金显示有限公司

申请日：2020-12-16

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113054033B

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12;H10K59/121

优先权：["20191227 KR 10-2019-0176126"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.07.16#实质审查的生效;2021.06.29#公开

摘要：公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备，其中薄膜晶体管包括：形成在基板上的半导体；形成在半导体上的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的栅极电极；形成在基板上的第一绝缘膜；第一导体部分，其形成在第一绝缘膜上并且形成在半导体的一侧；和第二导体部分，其形成在第一绝缘膜上并且形成在半导体的另一侧，其中在半导体与第一导体部分之间可形成有第一绝缘膜的第一部分，并且在半导体与第二导体部分之间可形成有第一绝缘膜的第二部分。

主权项：1.一种薄膜晶体管，包括：形成在基板上的半导体；形成在所述半导体上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极；形成在所述基板上的第一绝缘膜；第一导体部分，所述第一导体部分形成在所述第一绝缘膜上并且形成在所述半导体的一侧；和第二导体部分，所述第二导体部分形成在所述第一绝缘膜上并且形成在所述半导体的另一侧，其中在所述半导体与所述第一导体部分之间形成有所述第一绝缘膜的第一部分，并且在所述半导体与所述第二导体部分之间形成有所述第一绝缘膜的第二部分，其中所述第一导体部分用作源极区域，所述第二导体部分用作漏极区域，所述第一绝缘膜用作氢扩散防止膜，并且所述第一导体部分和所述第二导体部分由具有比所述半导体的电阻低的电阻的材料形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 乐金显示有限公司 薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD