申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2020-02-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112670283B

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06;H01L27/02

优先权：["20191015 US 16/653,979"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.05.04#实质审查的生效;2021.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种晶片外驱动器结构，包含多个上拉晶体管、多个下拉晶体管、多个第一类型的第一区域、多个第二类型的第二区域，以及多个电阻元件。第一区域和第二区域交错形成静电保护电路。多个电阻元件中的一个耦接上拉晶体管中的一个或下拉晶体管中的一个。电阻元件配置在第一区域和第二区域之间。通过设置电阻元件在静电保护二极管的P型掺杂区和N型掺杂区之间，可减少晶片外驱动器电路的整体布局面积。

主权项：1.一种晶片外驱动器结构，其特征在于，包含：多个上拉晶体管；多个下拉晶体管；多个第一类型的第一区域；多个第二类型的第二区域，其中所述多个第一区域和所述多个第二区域交错形成静电保护电路；多个浅沟槽隔离结构，配置在所述多个第一区域和所述多个第二区域之间，其中所述多个电阻元件设置在所述多个浅沟槽隔离结构之上；以及多个电阻元件，其中所述多个电阻元件中的一个耦接所述多个上拉晶体管中的一个或所述多个下拉晶体管中的一个，所述多个电阻元件配置在所述多个第一区域和所述多个第二区域之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 晶片外驱动器结构

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