申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-08-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113725072B

主分类号：H01L21/033

分类号：H01L21/033;G03F1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.12.17#实质审查的生效;2021.11.30#公开

摘要：本申请提供了一种硬掩膜的制作方法以及半导体器件的制作方法，该制作方法包括：采用物理气相沉积法形成氧化层；在具有预定气体的空间中，对氧化层进行退火处理，得到硬掩膜，其中，预定气体包括氧元素。本申请的该制作方法，通过在包括氧元素的预定气体气氛下退火修复氧化层中的氧空位缺陷，使其在一定波长内不产生光吸收，使得氧化层的消光系数K值为0，这样较好地解决了现有技术中PVD方式得到的硬掩膜氧化层的消光系数不稳定的问题，保证了氧化层的光学参数差异较小，从而保证了后续光刻获得均一性较好的工艺尺寸。

主权项：1.一种硬掩膜的制作方法，其特征在于，包括：采用物理气相沉积法形成氧化层；在具有预定气体的空间中，对所述氧化层进行退火处理，得到所述硬掩膜，其中，所述预定气体包括氧元素，在具有预定气体的空间中，对所述氧化层进行退火处理，包括：在具有臭氧的空间中，对所述氧化层进行第二退火处理，所述第二退火处理的退火温度小于700℃。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 硬掩膜的制作方法以及半导体器件的制作方法

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