申请/专利权人：剑桥氮化镓器件有限公司

申请日：2018-07-13

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111095531B

主分类号：H01L21/8252

分类号：H01L21/8252;H01L29/778;H01L27/06;H01L27/07;H01L27/085

优先权：["20170714 GB 1711361.4"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.07.04#专利申请权的转移;2020.05.29#实质审查的生效;2020.05.01#公开

摘要：本公开涉及GaN技术中的功率半导体器件。本公开提出了集成的辅助栅极端子15和下拉网络，以实现具有高于2V的阈值电压、低栅极泄漏电流和增强的切换性能的常断E‑模式GaN晶体管。高阈值电压GaN晶体管具有高压有源GaN器件205和低压辅助GaN器件210，其中高压GaN器件具有连接到集成辅助低压GaN晶体管的源极的栅极和为外部高压漏极端子的漏极以及为外部源极端子的源极，而低压辅助GaN晶体管具有连接到用作外部栅极端子的漏极第二辅助电极的栅极第一辅助电极。在其他实施例中，用于断开高阈值电压GaN晶体管的下拉网络由二极管、电阻器或与低压辅助GaN晶体管并联连接的两者的并联连接来形成。

主权项：1.一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，包括：形成在衬底上的有源异质结晶体管，所述有源异质结晶体管包括：第一III族氮化物半导体区域，包括第一异质结，所述第一异质结包括有源二维载流子气；第一端子，以可操作的方式连接到所述III族氮化物半导体区域；其中该第一端子被配置为低压端子；第二端子，与所述第一端子横向隔开并且以可操作的方式连接到所述III族氮化物半导体区域；其中该第二端子被配置为高压端子；有源栅极区域，形成在所述第III族氮化物半导体区域上方，所述有源栅极区域形成在所述第一端子和所述第二端子之间；辅助异质结晶体管，形成在所述衬底或另一衬底上，所述辅助异质结晶体管包括：第二III族氮化物半导体区域，包括第二异质结，所述第二异质结包括辅助二维载流子气；第一附加端子，以可操作的方式连接到所述第二III族氮化物半导体区域；第二附加端子，与所述第一附加端子横向隔开并且以可操作的方式连接到所述第二III族氮化物半导体区域；辅助栅极区域，形成在所述第二III族氮化物半导体区域上方，所述辅助栅极区域形成在所述第一附加端子与所述第二附加端子之间；其中，所述第一附加端子与所述辅助栅极区域以可操作的方式连接，并且其中，所述第二附加端子与所述有源栅极区域以可操作的方式连接；其中，所述第一附加端子和所述有源栅极区被配置为使得施加到所述第一附加端子上的一部分电势用于接通所述有源栅极区；并且其中，所述辅助异质结晶体管被配置为增加所述异质结功率器件的阈值电压和或增加所述第一附加端子的操作电压范围。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 剑桥氮化镓器件有限公司 具有辅助栅极结构的功率半导体器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD