申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2021-07-16

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113745314B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/08;H01L29/45;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开

摘要：本发明涉及一种冷源MOS晶体管及制作方法。一种冷源MOS晶体管，包括：P型或N型掺杂的衬底，所述衬底上设有栅极，所述栅极与所述衬底之间由栅介质层隔离，在所述衬底上位于栅极的两侧分别设有源极和漏极，所述源极与衬底上P型或N型掺杂区域的交界面形成有PN结，所述PN结的上表面覆盖有金属接触层，并且所述金属接触层与所述栅极通过第一侧墙隔离。本发明能够降低晶体管的亚阈值摆幅，同时提高开关电流比，还具有更高的集成度。

主权项：1.一种冷源MOS晶体管，其特征在于，包括：P型或N型掺杂的衬底，所述衬底上设有栅极，所述栅极与所述衬底之间由栅介质层隔离，在所述衬底上位于栅极的两侧分别设有源极和漏极，所述源极与衬底上P型或N型掺杂区域的交界面形成有PN结，所述PN结的上表面覆盖有金属接触层，并且所述金属接触层与所述栅极通过第一侧墙隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 冷源MOS晶体管及制作方法

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