申请/专利权人：深圳大学

申请日：2022-04-22

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114792742B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/109;H01L31/0336;G01J1/42

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.10.04#实质审查的生效;2022.07.26#公开

摘要：本发明提供了一种基于改性SnTe薄膜的光电传感器及其制备方法，包括：将硅基底原料进行清洗，并去除硅基底原料表面氧化物，得到硅基底；在硅基底的周边上生长形成围设有窗口的绝缘层；在绝缘层围设的窗口处制备Si掺杂SnTe层；在硅基底背离绝缘层的硅基底第一端面处制备第一电极，并进行退火处理；在Si掺杂SnTe层上制备第二电极，获得基于改性SnTe薄膜的光电传感器。在无表面氧化物的硅基底上生长绝缘层，在绝缘层的窗口处生长制备Si掺杂SnTe层，不对硅基底进行蚀刻，不需要破坏硅基底表面的平整度，使Si掺杂SnTe层与基底的交界平整，降低传感器的暗电流密度。

主权项：1.一种基于改性SnTe薄膜的光电传感器的制备方法，其特征在于，包括：将硅基底原料进行清洗，并去除硅基底原料表面氧化物，得到硅基底；在所述硅基底的周边上生长形成围设有窗口的绝缘层；在所述绝缘层围设的窗口处制备Si掺杂SnTe层；在所述硅基底背离所述绝缘层的硅基底第一端面处制备第一电极，并进行退火处理；在所述Si掺杂SnTe层上制备第二电极，获得所述基于改性SnTe薄膜的光电传感器；所述将硅基底原料进行清洗，并去除硅基底原料表面氧化物，得到硅基底具体包括：将硅基底原料依次经过丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗10min，去除硅基底原料表面的污物，并用氮气枪将清洗好的硅基底原料吹干；将吹干后的硅基底原料置于氢氟酸溶液中浸泡30秒，去除表面的氧化硅，并用去离子水超声清洗2min，再次用氮气枪将清洗好的硅基底原料吹干，获得硅基底；所述在所述硅基底的周边上生长形成围设有窗口的绝缘层，具体包括：通过光刻技术硅基底上光刻绝缘层图案，得到带窗口的绝缘层图案阵列；通过磁控溅射法在硅基底上沉积Ga2O3绝缘层；依次使用丙酮、无水乙醇和去离子水去除光刻胶，并显露Ga2O3绝缘层；通过磁控溅射法在硅基底上沉积Ga2O3绝缘层具体包括：采用Ga2O3为靶材，交流源为电源，氩气为工作气体，将生长腔抽真空至1.0×10-4Pa；启辉和预溅射，预溅射3min去除靶材表面可能存在的污染物后开始溅射Ga2O3绝缘层，工作气压为0.67Pa，氩气流量为12sccm，溅射功率为100W，溅射时间为5000s。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳大学 一种基于改性SnTe薄膜的光电传感器及其制备方法

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