申请/专利权人：株式会社迪思科

申请日：2019-12-05

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111293084B

主分类号：H01L21/78

分类号：H01L21/78

优先权：["20181207 JP 2018-230163"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.11.23#实质审查的生效;2020.06.16#公开

摘要：提供器件芯片的制造方法，能够提高器件芯片的抗弯强度。器件芯片的制造方法包含如下的步骤：激光加工槽形成步骤，从在由交叉的分割预定线划分的正面的多个区域内形成有器件的晶片的正面沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽；保护部件粘贴步骤，在形成有激光加工槽的晶片的正面上粘贴粘接带；以及磨削步骤，对隔着保护部件而被卡盘工作台保持的晶片从背面进行磨削，薄化至完工厚度并且将晶片分割，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片。

主权项：1.一种器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：激光加工槽形成步骤，从在由交叉的多条分割预定线划分的正面的多个区域内分别形成有器件的晶片的正面沿着该分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着该分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽；保护部件粘贴步骤，在形成有该激光加工槽的晶片的正面上粘贴保护部件；磨削步骤，对隔着该保护部件而由卡盘工作台所保持的晶片从背面进行磨削，薄化至完工厚度并且将该晶片分割，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片；以及等离子蚀刻步骤，在实施了该磨削步骤之后，对被该保护部件保持的器件芯片进行等离子蚀刻，该器件芯片是搭载于具有挠性的柔性基板而用于具有挠性的电子设备的器件芯片，该柔性基板形成有布线和电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科 器件芯片的制造方法

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