申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220710320U

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型提供一种无需掺杂的顶栅金属氧化物阵列基板，其从下到上依次包括玻璃基板、第一金属层、第一绝缘层、中间导电接触层、半导体层、栅极绝缘层、第二金属层、第一中间绝缘层、第三金属层、有机平坦层、第一透明导电层、第二中间绝缘层和第二透明导电层，第二透明导电层包括像素电极，像素电极通过第二中间绝缘层的第三通孔与漏极相连接；半导体层的两端分别与中间导电接触层的第一接触层和第二接触层的一端相搭接；第三金属层的源极和漏极分别通过第一中间绝缘层的第一通孔与第一接触层和第二接触层相连接。本实用新型通过结构优化，无需额外光罩或者离子注入设备即可减少器件半导体层与源漏极接触区接触阻抗，提高器件性能及稳定性。

主权项：1.一种无需掺杂的顶栅金属氧化物阵列基板，其特征在于：包括玻璃基板，第一金属层，设置在所述玻璃基板上，所述第一金属层包括遮光层；第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；中间导电接触层，设置在所述第一绝缘层上，包括第一接触层和第二接触层，所述中间导电接触层采用导体材料制备；半导体层，设置在所述中间导电接触层上，所述半导体层的位置与所述遮光层相对应，所述半导体层的两端分别与第一接触层和第二接触层的一端相搭接；栅极绝缘层，设置在所述半导体层上；第二金属层，设置在所述栅极绝缘层上，所述第二金属层包括栅极；第一中间绝缘层，设置在所述第二金属层上，所述第一中间绝缘层开设有二第一通孔，二所述第一通孔分别位于所述栅极的两侧，且向下贯穿所述栅极绝缘层，并分别露出所述第一接触层和第二接触层的上表面；第三金属层，设置在所述第一中间绝缘层上，所述第三金属层包括源极、漏极、金属单元一以及金属单元二，所述金属单元一与所述源极相连，所述金属单元一为Data信号线，所述金属单元二为COM信号线Touch信号线，所述源极和漏极分别通过对应的第一通孔与对应的第一接触层和第二接触层相连接；有机平坦层，设置在所述第三金属层上，所述有机平坦层上设置有第二通孔，所述第二通孔露出所述COM信号线Touch信号线的上表面；第一透明导电层，设置在所述有机平坦层上，所述第一透明导电层包括COM电极，所述COM电极通过所述第二通孔与所述COM信号线Touch信号线相连；第二中间绝缘层，设置在所述第一透明导电层上，所述第二中间绝缘层上设置有第三通孔，所述第三通孔向下贯穿所述有机平坦层并露出所述漏极的上表面；第二透明导电层，设置在所述第二中间绝缘层上，所述第二透明导电层包括像素电极，所述像素电极通过第三通孔与所述漏极相连接；所述第一接触层与第二接触层之间的间距小于所述栅极宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华映科技(集团)股份有限公司 一种无需掺杂的顶栅金属氧化物阵列基板

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD