申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2023-04-20

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220710324U

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/786

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型公开了半导体器件，包括源极、漏极、闸极、底电介质层、闸极电介质层、通道结构以及金属氮化物层。漏极与源极在垂直方向上堆叠设置，闸极设置在漏极与源极之间。底电介质层设置在源极与闸极之间。通道结构设置在漏极与源极之间并电性连接漏极与源极，通道结构部分设置在闸极内，并包括在水平方向上依序堆叠的通道层与绝缘层。闸极电介质层设置在通道结构与闸极之间。金属氮化物层设置在闸极电介质层与闸极之间。如此，可隔绝闸极电介质层与闸极的直接接触，改善半导体器件的操作表现。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：源极；漏极，所述漏极与所述源极在垂直方向上堆叠设置；闸极，在所述垂直方向上设置在所述漏极与所述源极之间；底电介质层，在所述垂直方向上设置在所述源极与所述闸极之间；通道结构，在所述垂直方向上设置在所述漏极与所述源极之间并电性连接所述漏极与所述源极，所述通道结构部分设置在所述闸极内，并包括在水平方向上依序堆叠的通道层与绝缘层；闸极电介质层，在所述水平方向上设置在所述通道结构与所述闸极之间；以及金属氮化物层，设置在所述闸极电介质层与所述闸极之间，其中，部分的所述底电介质层夹设在所述金属氮化物层与所述源极之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD