申请/专利权人：无锡彼星半导体有限公司

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220711465U

主分类号：H03K17/687

分类号：H03K17/687

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型公开了一种SOICMOS射频开关电路结构，涉及射频开关技术领域，该电路结构包括带隙基准、线性稳压器、隔离驱动电路、逻辑电路和电平切换电路及单刀双掷射频开关；其中，带隙基准输出端与线性稳压器输入端连接，线性稳压器输出端分别与隔离驱动电路输入端及逻辑电路和电平切换电路输入端连接，逻辑电路和电平切换电路输出端与单刀双掷射频开关连接，且逻辑电路和电平切换电路输入控制信号。本实用新型通过利用SOI工艺具有绝缘体上硅的结构以及与以CMOS工艺兼容的特点，设计采用串并联架构的单刀双掷射频开关电路，具有低插入损耗，良好的隔离度与匹配性能，以及良好的线性度性能。

主权项：1.一种SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于，该电路结构包括带隙基准1、线性稳压器2、隔离驱动电路3、逻辑电路和电平切换电路4及单刀双掷射频开关5；其中，所述带隙基准1输出端与所述线性稳压器2输入端连接，所述线性稳压器2输出端分别与所述隔离驱动电路3输入端及所述逻辑电路和电平切换电路4输入端连接，所述逻辑电路和电平切换电路4输出端与所述单刀双掷射频开关5连接，且所述逻辑电路和电平切换电路4输入控制信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡彼星半导体有限公司 一种SOI CMOS射频开关电路结构

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