申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220710321U

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型提供一种顶栅结构TFT氧化物阵列基板，其从下到上包括基板、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、栅极绝缘层、第一透明导电层、第二金属层、中间绝缘层、第二透明导电层、第三金属层及钝化层，第一透明导电层包括第一ITO层和COM电极，第二金属层与第一ITO层组成栅极；第二透明导电层包括第二ITO层和像素电极，第三金属层包括金属单元一、金属单元二及金属单元三，金属单元一与第二ITO层组成源极，金属单元二与第二ITO层组成漏极，金属单元三与第二ITO层组成COM信号线；源极和漏极分通过第一通孔与半导体层连接，COM信号线通过第二通孔与COM电极连接；本实用新型通过优化结构，仅利用5枚光罩即可制备氧化物阵列基板，降低生产成本，提高生产效率。

主权项：1.一种顶栅结构TFT氧化物阵列基板，其特征在于：包括基板，第一金属层，设置在所述基板上，所述第一金属层包括遮光层；第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；半导体层，设置在所述第一绝缘层上，所述半导体层的位置与所述遮光层相对应；栅极绝缘层，设置在所述半导体层上；第一透明导电层，设置在所述栅极绝缘层上，所述第一透明导电层包括第一ITO层和COM电极；第二金属层，设置在所述第一ITO层上，所述第二金属层与所述第一ITO层组成栅极；中间绝缘层，设置在所述第二金属层和所述COM电极上，所述中间绝缘层开设有二第一通孔和第二通孔，二所述第一通孔分别位于所述栅极的两侧，且向下贯穿所述栅极绝缘层并露出所述半导体层的上表面；所述第二通孔位于所述COM电极的上方，且从第二通孔露出所述COM电极的上表面；第二透明导电层，设置在所述中间绝缘层上，所述第二透明导电层包括第二ITO层和像素电极；第三金属层，设置在所述第二透明导电层上，所述第三金属层包括金属单元一、金属单元二以及金属单元三，所述金属单元一与其下方的第二ITO层组成源极，所述金属单元二与其下方的第二ITO层组成漏极，所述金属单元三与其下方的第二ITO层组成COM信号线；所述源极和漏极分别通过对应的第一通孔与所述半导体层的两端相连接，所述COM信号线通过第二通孔与所述COM电极相连接；钝化层，设置在所述第三金属层上。

全文数据：

权利要求：

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