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【发明公布】一种半导体外延的实现方法及半导体器件_格科微电子(上海)有限公司_202211208598.4 

申请/专利权人:格科微电子(上海)有限公司

申请日:2022-09-30

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117855226A

主分类号:H01L27/146

分类号:H01L27/146

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要:本发明提供一种图像传感器形成方法,包括:在栅极形成之前,通过刻蚀和外延工艺,在所述图像传感器的像素区域周围形成至少一层第一隔离层,通过在所述第一隔离层中填充介质并设置所述第一隔离层的形状,使光线从外部射向所述像素区域时在所述第一隔离层界面发生反射,减少光学透射,实现光学隔离。本发明通过设置像素区域周围隔离结构的形状,降低外围光信号和热信号对像素区域感光的影响,提高图像传感器的性能,同时还可以避免金属材料带来的应力影响。

主权项:1.一种图像传感器形成方法,其特征在于,包括:在栅极形成之前,通过刻蚀和外延工艺,在所述图像传感器的像素区域周围形成至少一层第一隔离层,通过在所述第一隔离层中填充介质并设置所述第一隔离层的形状,使光线从外部射向所述像素区域时在所述第一隔离层界面发生反射,减少光学透射,实现光学隔离。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 格科微电子(上海)有限公司 一种半导体外延的实现方法及半导体器件

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