申请/专利权人:格科微电子(上海)有限公司
申请日:2022-09-30
公开(公告)日:2024-04-09
公开(公告)号:CN117855226A
主分类号:H01L27/146
分类号:H01L27/146
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开
摘要:本发明提供一种图像传感器形成方法,包括:在栅极形成之前,通过刻蚀和外延工艺,在所述图像传感器的像素区域周围形成至少一层第一隔离层,通过在所述第一隔离层中填充介质并设置所述第一隔离层的形状,使光线从外部射向所述像素区域时在所述第一隔离层界面发生反射,减少光学透射,实现光学隔离。本发明通过设置像素区域周围隔离结构的形状,降低外围光信号和热信号对像素区域感光的影响,提高图像传感器的性能,同时还可以避免金属材料带来的应力影响。
主权项:1.一种图像传感器形成方法,其特征在于,包括:在栅极形成之前,通过刻蚀和外延工艺,在所述图像传感器的像素区域周围形成至少一层第一隔离层,通过在所述第一隔离层中填充介质并设置所述第一隔离层的形状,使光线从外部射向所述像素区域时在所述第一隔离层界面发生反射,减少光学透射,实现光学隔离。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 格科微电子(上海)有限公司 一种半导体外延的实现方法及半导体器件
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