申请/专利权人：平湖科谱激光科技有限公司

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117856042A

主分类号：H01S5/30

分类号：H01S5/30;H01S5/183

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种稀氮激光器芯片及其制备方法。稀氮激光芯片包括：外延层，所述外延层包括依次叠置的：锗衬底结构；底部镜面；稀氮有源层；氧化窗口层；及顶部镜面。锗衬底晶格匹配底部镜面、稀氮有源层以及顶部镜面，可以使得150mmVCSEL晶圆翘曲从超过200um降低至10um，显著提高产品良率。

主权项：1.一种稀氮激光器芯片，其特征在于，包括：外延层，所述外延层包括依次叠置的：锗衬底结构；底部镜面；稀氮有源层；氧化窗口层，所述氧化窗口层内具有透光孔；及顶部镜面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 平湖科谱激光科技有限公司 稀氮激光器芯片及其制备方法

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