申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-08-16

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855262A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/205

优先权：["20221004 KR 10-2022-0126589"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可包括沟道层上的势垒层、势垒层上的栅电极、势垒层与栅电极之间的栅极半导体层、以及沟道层上的彼此间隔开的源极和漏极。势垒层可具有比沟道层大的能带隙。栅极半导体层可包括接触势垒层的第一表面、接触栅电极的第二表面、以及连接第一表面与第二表面的侧壁。栅极半导体层的第二表面的区域可比第一表面的区域窄。栅极半导体层的侧壁可包括具有不同斜率的多个表面。

主权项：1.一种半导体器件，包括：沟道层；势垒层，在沟道层上，势垒层的能带隙大于沟道层的能带隙；栅电极，在势垒层上；栅极半导体层，在势垒层与栅电极之间；以及源极和漏极，在沟道层上并且彼此间隔开，其中，栅极半导体层包括接触势垒层的第一表面、接触栅电极的第二表面、以及连接第一表面与第二表面的侧壁，栅极半导体层的第二表面的区域比栅极半导体层的第一表面的区域窄，并且栅极半导体层的侧壁包括具有不同斜率的多个表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件和制造半导体器件的方法

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