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【发明公布】一种复合击穿路径击穿的真空度检测方法_西安交通大学_202410216316.8 

申请/专利权人:西安交通大学

申请日:2024-02-27

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117854981A

主分类号:H01H33/668

分类号:H01H33/668;G01L21/30

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要:本发明公开一种复合击穿路径击穿的真空度检测方法,真空开关当前受到电力系统青睐,但是在高电压等级真空开关的应用和推广过程中,面临真空灭弧室真空度在线检测的技术难题;为了解决这一难题,同时提高基于真空间隙的真空度检测精度,提出一种复合击穿路径击穿的真空度检测方法。本发明旨在基于不同真空度条件下不同电极间隙的击穿电压存在较大的差异这一特征,提出一种复合击穿路径击穿的真空度检测方法,通过多个不同电极间击穿电压的测量和判断,实现高电压等级真空灭弧室真空度检测精度的提高,完成高真空度环境与完全漏气后的绝缘气体环境下的击穿判定,推进高电压等级真空灭弧室真空度检测方法的发展。

主权项:1.一种复合击穿路径击穿的真空度检测方法,其特征在于:基于多个不同电极形状具有不同电场强度的特征,通过不同击穿路径的击穿电压的特征差异,设计复合击穿路径;根据不同电极结构在不同击穿路径下的击穿结果的组合,实现对于真空灭弧室真空度的高精度测量、校验;所述复合击穿路径击穿的真空度检测方法,具体包括如下步骤:步骤1:开始单次的真空灭弧室真空度检测,在真空灭弧室内设置多组独立复合击穿路径真空度检测电极结构,即I型电极组合、II型电极组合和III型电极组合均独立的施加标准脉冲电压以及使用独立的击穿测量回路;三组电极采用不同的间隙距离,且采用独立施加电压的方式,避免击穿干扰;三组电极施加的电压分别为UA、UB、UC,三组电压的值相同或者不同;三组电极所处的环境均为当前真空灭弧室内部真空环境;步骤2:通过击穿测量回路监测击穿电流得到复合击穿路径真空度检测电极结构的击穿状况,分别同时判断I型电极组合、II型电极组合和III型电极组合是否发生击穿,若I型电极组合的击穿测量回路测量得到的I型电极组合击穿电流IbA大于设定的I型电极组合预击穿电流Ib1,则I型电极组合发生击穿:IbA>Ib11否则I型电极组合为未击穿;若II型电极组合的击穿测量回路测量得到的II型电极组合击穿电流IbB大于设定的II型电极组合预击穿电流Ib2,则II型电极组合发生击穿:IbB>Ib22否则II型电极组合为未击穿;若III型电极组合的击穿测量回路测量得到的III型电极组合击穿电流IbC大于设定的III型电极组合预击穿电流Ib3,则III型电极组合发生击穿:IbC>Ib33否则III型电极组合为未击穿;步骤3:结合实验标定的三种电极组合在不同间隙距离下击穿的真空度范围,根据不同击穿路径下不同电极结构间隙距离的击穿结果的组合,判断当前的真空灭弧室漏气情况以及漏气系数α;为方便统一标准,取当前确定真空度范围区间内的典型特征值代表当前漏气率和漏气系数;若I型、II型以及III型电极组合分别施加电压UA、UB、UC后,三组电极间隙均未发生击穿,则此时的真空灭弧室真空度正常,漏气系数α=0;如果仅有II型电极组合发生击穿,则此时的真空灭弧室漏气20%,漏气系数α=0.2;如果I型电极组合和II型电极组合发生击穿,III型电极未发生击穿,则此时的真空灭弧室漏气30%,漏气系数α=0.3;如果三组电极间隙均发生击穿,则此时的真空灭弧室漏气60%,漏气系数α=0.6;如果I型电极组合和III型电极组合发生击穿,II型电极组合未发生击穿,则此时的真空灭弧室漏气80%,漏气系数α=0.8;如果仅有III型电极组合发生击穿,则此时的真空灭弧室完全漏气,漏气系数α=1;步骤4:根据不同电压下相同的真空度和气压条件,不同击穿路径下不同电极结构、不同间隙距离的击穿结果的组合,获得当前真空灭弧室的漏气系数,则当前真空灭弧室的真空度P采用式4计算:P=αPatm+1-αP04式中:P0为真空灭弧室出厂时的高真空,Patm为大气压强;基于复合击穿路径击穿情况组合完成真空度的检测,单次真空度检测结束。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安交通大学 一种复合击穿路径击穿的真空度检测方法

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