申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855246A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：本申请提供一种半导体器件、其制作方法、衬底结构及射频芯片。该半导体器件可以包括：硅衬底层，位于硅衬底层之上的外延层，以及位于外延层之上的晶体管。硅衬底层可以包括：相互独立的多个第一杂质区，每一个第一杂质区由硅衬底层与外延层之间的界面延伸至硅衬底层的内部，第一杂质区的深度小于硅衬底层的厚度。第一杂质区内具有多个第一团簇，第一团簇包括多个ⅢA族原子。本申请实施例中，通过向硅衬底层注入多种离子，可以破坏寄生导电沟道的晶格结构，降低射频损耗。在后续退火处理过程中，替位型离子可以替代寄生导电沟道中的ⅢA族离子，使ⅢA族离子析出形成第一团簇并失去电活性，降低硅衬底层中的载流子浓度，进一步降低射频损耗。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：硅衬底层，位于所述硅衬底层之上的外延层，以及位于所述外延层之上的晶体管；所述硅衬底层包括：相互独立的多个第一杂质区，所述多个第一杂质区中的每一个所述第一杂质区由所述硅衬底层与所述外延层之间的界面延伸至所述硅衬底层的内部；所述第一杂质区的深度小于所述硅衬底层的厚度；所述第一杂质区内具有多个第一团簇，所述第一团簇包括多个ⅢA族原子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 一种半导体器件、其制作方法、衬底结构及射频芯片

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