申请/专利权人:中国科学院半导体研究所
申请日:2024-02-01
公开(公告)日:2024-04-09
公开(公告)号:CN117855049A
主分类号:H01L21/428
分类号:H01L21/428;H01L21/465;H01L23/367;H01L21/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开
摘要:提供了一种氧化镓衬底及其制备方法,所述方法包括以下步骤:按照激光烧蚀版图,采用激光烧蚀法在所述初始氧化镓衬底表面加工出第一沟槽;对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复得到第二沟槽;以及在所述第二沟槽内填充导热层,以形成具有导热层的氧化镓衬底。通过激光刻蚀加工方法填充高导热材料,得到的具有导热层的氧化镓衬底结构简单,散热性能优异。
主权项:1.一种氧化镓衬底的制备方法,其中,所述方法包括以下步骤:按照激光烧蚀版图,采用激光烧蚀法在初始氧化镓衬底表面加工出第一沟槽;对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复得到第二沟槽;以及在所述第二沟槽内填充导热层,以形成具有导热层的氧化镓衬底。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院半导体研究所 氧化镓衬底及其制备方法
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