申请/专利权人：陕西光电子先导院科技有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117854864A

主分类号：H01C17/12

分类号：H01C17/12;H01C17/00;H01C7/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开的片上金属薄膜电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，选取半绝缘衬底，在半绝缘衬底上方沉积绝缘介质层；步骤2，在绝缘介质层上方依次涂覆底胶和顶胶，并在完成底胶或顶胶涂覆后分别进行烘烤处理；步骤3，对步骤2中涂覆底胶和顶胶的半绝缘衬底依次进行曝光、显影和坚膜处理，得到薄膜电阻图形区；步骤4，对薄膜电阻图形区进行表面处理，然后溅射金属薄膜电阻；步骤5，清除半绝缘衬底上非电阻金属区域的光刻胶与金属，得到片上金属薄膜电阻。本发明能够得到金属厚度均匀、线宽一致、边缘整齐干净的薄膜电阻图形。

主权项：1.片上金属薄膜电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，选取半绝缘衬底100，在半绝缘衬底100上方沉积绝缘介质层101；步骤2，在绝缘介质层101上方依次涂覆底胶102和顶胶103，并在完成底胶102或顶胶103涂覆后分别进行烘烤处理；步骤3，对步骤2中涂覆底胶102和顶胶103的半绝缘衬底100依次进行曝光、显影和坚膜处理，得到薄膜电阻图形区；步骤4，对薄膜电阻图形区进行表面处理，然后溅射金属薄膜电阻105；步骤5，清除半绝缘衬底100上非电阻金属区域的光刻胶与金属，得到片上金属薄膜电阻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 陕西光电子先导院科技有限公司 片上金属薄膜电阻的制备方法

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