申请/专利权人：杭州富芯半导体有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845181A

主分类号：C23C14/50

分类号：C23C14/50;C23C14/56;C23C14/54

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请提供一种薄膜沉积方法和薄膜沉积设备，通过测量第一衬底的薄膜厚度，得到厚度最大位置和厚度最小位置，并且计算得到厚度最大位置与基线的第一夹角，厚度最小位置与基线的第二夹角，利用第一夹角与第二夹角计算出厚度最大位置与厚度最小位置在衬底旋转工作角度前的位置差距，作为第二衬底进行薄膜沉积工序的衬底转向修正角度。第二衬底先以薄膜沉积工序沉积目标薄膜厚度的一部分材料后，然后以第一旋转轴旋转工作角度，再以第二旋转轴转动180度和衬底转向修正角度，使厚度最大位置转动至与进行前半工序时的厚度最小位置重合的位置，如此在进行后续工序时，薄膜的厚度最大位置处和厚度最小位置处的沉积状态产生互补，最终产生厚度均匀的薄膜。

主权项：1.一种薄膜沉积方法，应用于薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备内具有沉积空腔、设置于所述沉积空腔的转台和设置于所述转台的多个沉积工位，所述转台设置有第一旋转轴，每个所述沉积工位的底部设置有第二旋转轴,其特征在于,包括:在第一衬底上沉积目标薄膜厚度的部分的材料以形成第一中途薄膜；把所述第一衬底绕所述第一旋转轴转动工作角度；重复所述形成第一中途薄膜的步骤和把所述第一衬底转动所述工作角度的步骤以形成第一目标薄膜；在所述第一衬底的边缘定义标记结构，所述标记结构通过所述第一衬底的中心并延长至另一侧边缘的连线定义为基线；测量所述第一目标薄膜的厚度，得到厚度最大位置及厚度最小位置；计算所述厚度最大位置与所述中心形成的第一连线和所述基线之间形成的第一夹角；计算所述厚度最小位置与所述中心形成的第二连线和所述基线之间形成的第二夹角；从第所述一夹角和所述第二夹角得到衬底转向修正角度为所述第一夹角减去所述第二夹角；在第二衬底上沉积目标薄膜厚度的部分的材料以形成第二中途薄膜，所述第二衬底与所述第一衬底具有相同的形状和结构；把所述第二衬底绕所述第一旋转轴转动所述工作角度；把所述第二衬底绕所述第二旋转轴转动180度减去所述衬底转向修正角度；重复所述形成第二中途薄膜的步骤和把所述第二衬底转动所述工作角度的步骤以形成第二目标薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州富芯半导体有限公司 薄膜沉积方法和薄膜沉积设备

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