申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855042A

主分类号：H01L21/335

分类号：H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管highelectronmobilitytransistor,HEMT的方法为，主要先形成一沟道层于基底上，然后形成一第一阻障层于该沟道层上，形成一P型半导体层于该第一阻障层上，形成第一图案化的保护层于该P型半导体层上，再形成一栅极电极于该第一图案化的保护层上，其中栅极电极又包含第一部分设于该第一图案化的保护层一侧以及第二部分设于第一图案化的保护层另一侧。

主权项：1.一种制作高电子迁移率晶体管highelectronmobilitytransistor,HEMT的方法，其特征在于，包含：形成沟道层于基底上；形成第一阻障层于该沟道层上；形成P型半导体层于该第一阻障层上；形成第一图案化的保护层于该P型半导体层上；形成栅极电极于该第一图案化的保护层上，其中该栅极电极包含：第一部分，设于该第一图案化的保护层一侧；以及第二部分，设于该第一图案化的保护层另一侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD