申请/专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845330A

主分类号：C30B29/40

分类号：C30B29/40;C30B1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明属于半导体材料技术领域，提供了一种磷化铟单晶的生长方法，本发明利用碳化硅坩埚来生长磷化铟单晶，先将碳化硅坩埚放置在石英坩埚中，用碳化硅细砂填充石英坩埚与碳化硅坩埚之间的空隙，依次在碳化硅坩埚中加入磷化铟单晶籽晶、无水氧化硼片、磷化铟多晶，抽真空密封后即可进行磷化铟单晶生长，制得磷化铟单晶。本发明的方法在磷化铟单晶生长过程中，热量的传递没有阻隔，热传递效率更高，使得磷化铟单晶生长时的固液生长界面的生长线更平缓，降低了磷化铟单晶的内应力，而且还有效降低了磷化铟单晶的位错密度，提升了单晶良率。

主权项：1.一种磷化铟单晶的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将碳化硅坩埚2放置于石英坩埚1中；S2、利用碳化硅细砂6填充所述石英坩埚1与所述碳化硅坩埚2之间的间隙5；S3、将磷化铟单晶籽晶放置于所述碳化硅坩埚2中，然后将无水氧化硼片4放置于所述磷化铟单晶籽晶上，再将磷化铟多晶7放置在所述无水氧化硼片4上，将石英坩埚1抽真空并密封；S4、将步骤S3中所述石英坩埚1进行磷化铟单晶生长，制得所述磷化铟单晶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 一种磷化铟单晶的生长方法

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