申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117849097A

主分类号：G01N25/18

分类号：G01N25/18;G06F17/11

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种半导体材料晶格热导率检测方法及系统，涉及热导率检测技术领域，包括以下步骤：获取与半导体材料晶格热导率相关的多个第一物理参数并进行相关性分析，得到多个第二物理参数；基于第二物理参数，对传统的Slack模型进行分析，并引入材料维氏硬度与剪切模量之间的关系，得到新型晶格热导率公式；通过图神经网络对半导体材料的格林艾森参数进行预测，得到预测格林艾森参数；将半导体材料的预测格林艾森参数与其余相关第二物理参数代入至新型晶格热导率公式，得到晶格热导率。本发明通过相关分析获取一些物理量作为晶格热导率的参数，用更精确和紧凑的形式来重新表示晶格热导率，最后得到了一个参数简单、物理量纲对齐的新型公式。

主权项：1.一种半导体材料晶格热导率检测方法，其特征在于，包括以下步骤：获取与半导体材料晶格热导率相关的多个第一物理参数；对多个第一物理参数进行晶格热导率相关性分析，得到相关性大于设定值的多个第二物理参数；基于多个第二物理参数，对传统的Slack模型进行分析，并引入材料维氏硬度与剪切模量之间的关系，得到新型晶格热导率公式；基于新型晶格热导率公式，通过图神经网络对半导体材料的格林艾森参数进行预测，得到预测格林艾森参数；将半导体材料的预测格林艾森参数与其余相关第二物理参数代入至新型晶格热导率公式，得到半导体材料的晶格热导率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 一种半导体材料晶格热导率检测方法及系统

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