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【发明公布】一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法_安徽大学_202410251482.1 

申请/专利权人:安徽大学

申请日:2024-03-06

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117849569A

主分类号:G01R31/26

分类号:G01R31/26

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要:本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法,所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路,应力时长控制电路和接口控制电路;应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长,并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流;双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流,测试待测晶体管的特性;接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流,从而进行测试时无需等待额外的充电时间,并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。

主权项:1.一种纳秒量级延时的功率器件测试电路,其特征在于,包括:双脉冲测试电路,应力时长控制电路和接口控制电路;所述应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长,并在所述时长内实现所述双脉冲测试电路产生既定的电流;所述双脉冲测试电路用于在所述待测晶体管导通时向所述待测晶体管施加所述电流,测试所述待测晶体管的特性;所述接口控制电路用于控制所述待测晶体管漏极的连接位置。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽大学 一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法

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