申请/专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117545337B

主分类号：H10N30/00

分类号：H10N30/00;H10N30/05

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明公开了一种压电衬底结构及其制备方法，压电衬底结构包括：基板、第一沉积层、第二沉积层、压电层和键合反应层；所述键合反应层为不连续的金属氧化物层；所述基板、所述第一沉积层、所述第二沉积层和所述压电层依次层叠设置；所述键合反应层位于所述基板与所述第一沉积层之间；或者，位于所述第一沉积层与所述第二沉积层之间；或者，位于所述第二沉积层与所述压电层之间。本发明可以增加键合界面的附着强度，使得键合强度大于1.5Jm2；还有利于提升波的反射，制备所得的声表面波滤波器，声波损失率小于0.005%，有助于提高器件的稳定性和性能。

主权项：1.一种压电衬底结构，其特征在于，包括：基板、第一沉积层、第二沉积层、压电层和键合反应层；所述键合反应层为不连续的金属氧化物层；所述基板、所述第一沉积层、所述第二沉积层和所述压电层依次层叠设置；所述键合反应层位于所述基板与所述第一沉积层之间；或者，位于所述第一沉积层与所述第二沉积层之间；或者，位于所述第二沉积层与所述压电层之间；所述金属氧化物层由多个金属氧化物纳米颗粒组成；其中，所述金属氧化物层沿所述基板指向所述压电层的方向的尺寸小于10nm，所述金属氧化物纳米颗粒沿所述基板指向所述压电层的方向的尺寸小于10nm，垂直于所述基板指向所述压电层的方向的尺寸小于100nm。

全文数据：

权利要求：

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