申请/专利权人：迈铼德微电子科技(无锡)有限公司

申请日：2023-10-12

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117410307B

主分类号：H01L27/15

分类号：H01L27/15;H01L33/06;H01L33/38;H01L33/00;H01L33/62

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开

摘要：本发明提供了全彩色MicroLED阵列结构及制备方法，涉及LED技术领域，包括基板，基板上表面设置若干组发光单元，单组发光单元呈4行4列阵列分布，发光单元从下往上依次包括衬底、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层，P‑GaN层上设置P电极，P电极一端与第二引线一端连接，第二引线另一端与基板上的焊盘连接，第二引线与P电极连接处、焊盘连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线长度的增加而增大。本发明中，通过在第二引线与P电极连接处设置扭结角度，增大第二引线与P电极连接处的扭结角度，使得第二引线的弯曲程度及长度增大，第二引线能够绕过阵列分布的发光单元，减少了对发光单元的遮挡，增强了发光效果。

主权项：1.全彩色MicroLED阵列结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在衬底3上生长若干N-GaN层4，在N-GaN层4上生长量子阱层5，在量子阱层5上生长P-GaN层6；步骤2：在P-GaN层6上制备透明导电层7；步骤3：使用感应耦合等离子体刻蚀制备台面结构，并露出N-GaN层4；步骤4：制备钝化层8，钝化层8覆盖在透明导电层7及位于台面结构处的N-GaN层4表面；步骤5：在钝化层8表面使用电子束蒸镀工艺制备金属薄膜层，并采用剥离工艺在N-GaN层4上制备N电极9、在P-GaN层6上制备P电极11，制得发光单元2；步骤6：将发光单元2阵列分布在基板1上，并通过COB技术进行封装，通过第一引线10将N电极9依次连接实现共阴极，通过第二引线12将P电极11与基板1上的焊盘13连接，第二引线12与P电极11连接处、焊盘13连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线12长度的增加而增大；在步骤2中，透明导电层7的制备包括：使用电子束蒸镀厚度为120nm的氧化铟锡作为透明导电层7，在氧气气氛、温度550℃条件下快速退火30sec以提高透明导电层7的透光率，并采用湿法腐蚀工艺形成氧化铟锡圆盘；通过电子束镀膜装置制备透明导电层7，电子束镀膜装置包括箱体14，箱体14底端连通设置进气管15，箱体14顶端连通设置出气管16，箱体14内设置支撑板17，支撑板17下方设置供气组件，支撑板17上设置底座18，底座18上设置载具19，载具19内设置容纳腔，载具19正上方设置夹具盘20，箱体14侧壁设置电子枪21，电子枪21输出端正对容纳腔内部；供气组件包括驱动电机22，驱动电机22设置在支撑板17底壁中心位置，驱动电机22输出端设置第一转动轴23，第一转动轴23下端设置转动盘24，转动盘24下表面偏心位置设置转动柱25，支撑板17底壁设置若干供气筒26，若干供气筒26关于支撑板17中心呈环形阵列分布，供气筒26侧壁与支撑板17底壁固定连接，供气筒26上侧壁设置若干出气孔27，出气孔27内设置第一单向阀，支撑板17内设置与出气孔27相适配的连通孔28，供气筒26下侧壁设置进气孔35，进气孔35内设置第二单向阀，供气筒26内滑动设置活塞板29，活塞板29与转动柱25之间设置连接杆30，连接杆30一端与转动柱25转动连接，连接杆30另一端与活塞板29靠近转动柱25一侧铰接连接；还包括采用全彩色MicroLED阵列结构制备方法制备的全彩色MicroLED阵列结构，包括：基板1，基板1上表面设置若干组发光单元2，单组发光单元2呈4行4列阵列分布，发光单元2从下往上依次包括衬底3、N-GaN层4、量子阱层5和P-GaN层6，发光单元2通过刻蚀形成台面结构并露出N-GaN层4，P-GaN层6上设置透明导电层7，透明导电层7及位于台阶位置的N-GaN层4上均设置钝化层8，N-GaN层4上设置N电极9，发光单元2的N电极9一端延伸至钝化层8外部并通过第一引线10依次连接实现共阴极，P-GaN层6上设置P电极11，P电极11一端与P-GaN层6连接，P电极11另一端依次贯穿透明导电层7、钝化层8，并延伸至钝化层8外部与第二引线12一端连接，第二引线12另一端与基板1上的焊盘13连接，第二引线12与P电极11连接处、焊盘13连接处均设置扭结角度，扭结角度随第二引线12长度的增加而增大。

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