申请/专利权人：湖南国芯半导体科技有限公司

申请日：2020-06-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111725318B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.10.27#实质审查的生效;2020.09.29#公开

摘要：本发明公开了一种功率半导体器件的元胞结构、器件及其制作方法，其中所述元胞结构包括：位于衬底表面上的外延层，其中外延层包括设置于衬底表面自下而上的第一外延层、第二外延层、第三外延层；位于第二外延层内两端的第二导电类型埋区；位于第三外延层内两端的掺杂区，掺杂区包括设置于所述第三外延层内自下而上指定结深的第二导电类型第一基区、第二导电类型增强基区、以及第二导电类型第二基区、第一导电类型增强源区和第二导电类型增强短路区；位于外延层上表面中央栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层之上的多晶硅层及栅极；位于所述外延层上表面两端的源极。本发明提供的器件提升了功率半导体器件的短路承受能力，提高了短路承受时间。

主权项：1.一种功率半导体器件的元胞结构，其特征在于，包括：位于第一导电类型衬底表面上的第一导电类型外延层，其中外延层包括设置于所述衬底表面自下而上的第二外延层、第三外延层；位于所述第二外延层内两端指定结深处且靠近所述第二外延层上表面设置的第二导电类型埋区；位于所述第三外延层内两端且靠近所述第三外延层上表面设置的掺杂区，其中，所述掺杂区包括设置于所述第三外延层内自下而上指定结深的第二导电类型第一基区、第二导电类型增强基区、以及与所述第三外延层上表面齐平的第二导电类型第二基区、第一导电类型增强源区和第二导电类型增强短路区；所述第二导电类型第二基区基于所述第三外延层表面的指定结深比所述第二导电类型增强基区、所述第二导电类型第一基区的指定结深更浅，以使所述第二导电类型第二基区及所述第二导电类型增强基区，在短路时使横向耗尽区电场和纵向耗尽区电场同时存在，降低短路饱和电流；位于所述第三外延层上表面中央且与所述第三外延层部分上表面、第二导电类型第二基区及第一导电类型增强源区同时接触的栅极绝缘层，及位于所述栅极绝缘层之上的栅极结构；位于所述第三外延层上表面两端的源极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南国芯半导体科技有限公司 一种功率半导体器件的元胞结构及其制作方法

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