申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-01-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112786608B

主分类号：H10B43/10

分类号：H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.05.28#实质审查的生效;2021.05.11#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种三维存储器及其制造方法。三维存储器包括：衬底；位于衬底上的包括多个块区域的堆叠结构，块区域包括沿平行于衬底的第一横向分布的核心区，及至少位于核心区一侧的阶梯区；设于至少两个相邻块区域之间且垂直贯穿堆叠结构的第一分隔结构和第二分隔结构，且第一分隔结构位于阶梯区，第二分隔结构位于核心区；其中，第一分隔结构包括第一主体部和自第一主体部延伸而出的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有间隙，至少部分第二分隔结构位于间隙内且与第一部分和或第二部分相连接。本发明提供的三维存储器增大了刻蚀工艺窗口，避免第一和第二分隔结构连接处出现断点导致漏电。

主权项：1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括多个块区域，所述块区域包括沿平行于所述衬底的第一横向分布的核心区，以及至少位于所述核心区一侧的阶梯区；设于至少两个相邻所述块区域之间且垂直贯穿所述堆叠结构的第一分隔结构和第二分隔结构，且所述第一分隔结构位于所述阶梯区，所述第二分隔结构位于所述核心区；其中，所述第一分隔结构包括第一主体部和自所述第一主体部延伸而出的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间具有间隙，至少部分所述第二分隔结构位于间隙内且与所述第一部分和或所述第二部分相连接；其中，所述第一部分包括沿所述第一横向延伸的第一横伸部；所述第二部分包括沿所述第一横向延伸的第二横伸部；所述第二分隔结构包括第二主体部和自所述第二主体部向两侧延伸而出的第三部分，所述第三部分沿平行于所述衬底且在相对于所述第一横向呈一定角度的第二横向上延伸；所述第三部分与所述第一横伸部和或所述第二横伸部相连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD