申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117457749B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本发明提供一种栅极下方具有P型空间层的SiCLMOS及制备方法，SiCLMOS包括：P型空间层；所述P型空间层位于栅极与漂移层之间，并与栅极氧化层、N+区、P+区和漂移层邻接。本发明在沟槽栅极下方引入了P型空间层，因为P型空间层的厚度很薄，所以当栅极接正电压的时候，在较低的栅极电压下就会在P型空间层形成反型层，从而形成从发射极到N+区，从N+区到P型空间层，从P型空间层到漂移层最后到集电极的导电通路，栅极氧化层与碳化硅界面迁移率低，电阻大，导电通路短路了栅极氧化层的界面沟道，从而降低了SiCLMOS的导通电阻。

主权项：1.一种栅极下方具有P型空间层的SiCLMOS，其特征在于，包括：P型空间层、栅极、N+区和P+区；所述P型空间层位于栅极与漂移层之间，并与栅极氧化层、N+区、P+区和漂移层邻接；所述P型空间层与所述栅极的底面和所述N+区的底面邻接并与所述P+区的侧面邻接；所述P型空间层的厚度为80-100nm；所述P型空间层的掺杂浓度为5×1015至1016cm-3；所述P+区位于源极下方并与所述N+区和所述P型空间层邻接；所述N+区位于所述源极和漏极的下方，并与所述栅极的两侧邻接；所述N+区的厚度等于栅极沟槽的厚度；所述P+区的厚度大于栅极沟槽的厚度；所述栅极位于所述源极下方并且位于所述P型空间层上方；还包括：N-channel层；所述N-channel层位于漂移层与所述P+区、所述P型空间层、所述N+区之间并与漂移层、所述P+区、所述P型空间层和所述N+区邻接。

全文数据：

权利要求：

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