申请/专利权人：浙江力积存储科技有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117437948B

主分类号：G11C11/4063

分类号：G11C11/4063

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.02.09#实质审查的生效;2024.01.23#公开

摘要：本公开的实施例提供一种三维堆叠存储器架构及其处理方法、存储器。所述三维堆叠存储器架构包括：N个存储阵列层，每个存储阵列层包括M个存储阵列、H个RAS反馈电路及M个硅通孔；逻辑控制层，N个存储阵列层沿竖直方向依次堆叠在逻辑控制层上。每个存储阵列层中的M个存储阵列划分为H个存储阵列组，分别对应连接于该层中的H个RAS反馈电路；在每个RAS反馈电路对应连接的存储阵列组中，仅存在一个存储阵列与逻辑控制层之间传输RAS反馈信号；在同一垂直方向上相同的存储阵列中，仅存在一个存储阵列与逻辑控制层之间传输RAS反馈信号；相邻存储阵列层中的RAS反馈电路之间通过硅通孔连接至逻辑控制层；，且当MN有余数时a=1，当MN无余数时a=0。

主权项：1.一种三维堆叠存储器架构，其特征在于，包括：N个存储阵列层，每个存储阵列层包括M个存储阵列、H个行选信号RAS反馈电路以及与所述M个存储阵列分别对应的M个硅通孔；逻辑控制层，所述N个存储阵列层沿竖直方向依次堆叠在所述逻辑控制层上；其中，每个存储阵列层中的所述M个存储阵列划分为H个存储阵列组，分别对应连接于该存储阵列层中的所述H个RAS反馈电路；在每个RAS反馈电路对应连接的存储阵列组中，仅存在一个存储阵列与所述逻辑控制层之间传输RAS反馈信号；在同一垂直方向上相同的存储阵列中，仅存在一个存储阵列与所述逻辑控制层之间传输RAS反馈信号；相邻存储阵列层中的RAS反馈电路之间通过硅通孔连接至所述逻辑控制层；其中，，且当MN有余数时，当MN无余数时，其中，所述N个存储阵列层中的每一个存储阵列层的布局相同，所述N个存储阵列层中的相同的存储阵列布局在同一垂直方向上，所述N个存储阵列层中的对应连接于相同存储阵列组的RAS反馈电路布局在同一垂直方向上，所述N个存储阵列层中的对应于相同存储阵列的硅通孔布局在同一垂直方向上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江力积存储科技有限公司 三维堆叠存储器架构及其处理方法、存储器

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