申请/专利权人：信越化学工业株式会社

申请日：2018-07-10

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN110892506B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L27/12

优先权：["20170714 JP 2017-138026"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.05.22#实质审查的生效;2020.03.17#公开

摘要：提供一种具有高热导率、高散热性并且在高频损耗小的器件基板，以及该器件基板的制造方法。本发明的器件基板1可以通过以下方法制造：使用临时贴合粘合剂31将SOI器件基板10的Si器件层侧临时贴合到支撑基板20，该SOI器件基板包括Si基础基板11、形成在Si基础基板上的具有高热导率且为电绝缘体的Box层12、和形成在Box层上的Si器件层13；去除临时贴合的SOI器件基板的Si基础基板11，直到露出Box层，从而获得减薄的器件晶片10a；使用耐热温度至少150℃的转移粘合剂32，通过施加热量和压力，将减薄的器件晶片的Box层侧与转移基板40彼此转移贴合，该转移基板具有高热导率并且是电绝缘体；以及分离支撑基板20。

主权项：1.一种器件基板，包括：Box层，其具有至少比SiO2高的热导率并且是电绝缘体；Si器件层，其形成在所述Box层的一个表面上；和基板，其具有至少比SiO2高的热导率并且是电绝缘体，所述基板通过耐热温度至少为150℃的粘合剂形成在所述Box层的另一表面上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 信越化学工业株式会社 具有高热导率的器件基板及其制造方法

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